热门文章

技术文章
光保护去除技术的集成电路
阅读：140发布时间：2018/8/24
1集成电路是整个信息产业的基础，是2025年中国生产的关键，图形处理是集成电路生产的核心过程。
光致保护剂去除是图案化过程中的一项重要技术，其中光保护剂去除剂是确定光保护剂去除的最终性能和可靠性的重要材料，甚至是组合物过程。是的。1]。
根据摩尔定律，集成电路的关键尺寸每两年为零。
7次
金属互连尺寸也相应减小。
为了减小电阻，寄生电容等，集成电路后期的金属互连采用铝硅铜，铝铜和铜互连的工艺，线宽从微米逐渐增长。亚微米至纳米。
集成电路的临界尺寸越小，它们对光保护，缺陷控制，临界尺寸和金属离子污染越敏感，这需要在其去除技术方面进行创新。轻型保护，满足不断增长的需求
根据集成电路的发展时间节点和图形处理的变化，本文简单介绍了光保护剂排除的全球技术发展趋势，并指出了该技术的发展状况。中国光刻胶去除现状
2 *基于溶剂的光刻胶去除技术从20世纪70年代到80年代，集成电路的关键尺寸超过了微米级。
集成电路的最后阶段对改变金属线和横线的尺寸具有很高的容差。湿蚀刻具有雕刻速度快，成本低，易操作的优点，是市场上的主流。
使用混酸法时，记录铝和铜 - 铜金属线以形成图案。
建模过程使用基于酚醛树脂的G线光致抗蚀剂来形成图案。湿蚀刻后光刻胶保持良好。
在此阶段，要求光致抗蚀剂去除剂具有优异的有机聚合物去除能力。
溶剂型光致抗蚀剂去除剂不含水，有机胺组分提供光致抗蚀剂主链聚合物和有机溶剂组分NMP（N-甲基吡咯烷酮），DMSO（二甲基亚砜）等的一些裂解能力。兼容性原理溶解有机废物以消除光保护。
ACTCMI，Avant的PRS 3000系列和杜邦的EKC EKC 830很常见。
其工作温度基本上高于80°C，部分温度高于闪点。
迄今为止，这种类型的光保护剂仍具有一定的市场份额。
3随着第二代胺基光电阻去除技术集成电路技术的发展，其极限尺寸逐渐缩小到亚微米级。
由于各向同性蚀刻特性，湿法蚀刻工艺不能满足日益增长的需求，并且出现了干蚀刻工艺。
干蚀刻工艺提供各向异性蚀刻以形成金属和轨道，而离子束用铝硅铜，铝铜和非介电氧化物材料轰击光保护器。由于氩气的影响，侧壁富含金属。
干焚烧过程使用有机和无机氧化物及其金属化合物作为残留物[2,3]。
这要求消除光保护，同时具有排除有机残留物，无机残留物和金属桥残留物的能力。
经过一系列系统的研究和开发，在20世纪90年代中期，杜邦EKC的WaiMunLee博士成功引入了羟胺基光刻胶，通常为EKC 265，EKC 270和EKC 270 T.